LM74610-Q1 是一款控制器器件，可与 N 沟道 MOSFET 一同用于反极性保护电路。 其设计用于驱动外部 MOSFET，串联电源时可模拟理想二极管整流器。 该机制的独特优势在于不以接地为参考，因此 Iq 为零。
LM74610-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，并配有快速响应内部比较器，可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。 这种快速降压特性有效限制了检测到反极性时反向电流的大小和持续时间。 此外，该器件设计选用了合适的 TVS 二极管，符合 CISPR25 5 类 EMI 规范和汽车类 ISO7637 瞬态要求。
| Vin (min) (V) | 0.48 |
| Vin (max) (V) | 42 |
| Number of channels | 1 |
| Features | Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| Iq (typ) (mA) | 0 |
| Iq (max) (mA) | 0 |
| FET | External single FET |
| IGate source (typ) (µA) | 10 |
| IGate source (max) (µA) | 9.4 |
| IGate sink (typ) (mA) | 0.01 |
| IGate pulsed (typ) (A) | 0.1 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| IReverse (typ) (µA) | 110 |
| VSense reverse (typ) (mV) | 20 |
| Design support | EVM |
| Rating | Automotive |
| Imax (A) | 1.5 |
| VGS (max) (V) | 2.5 |
| Device type | Ideal diode controller |
| Product type | Ideal diode controller |
| VSSOP (DGK) | 8 | 14.7 mm² 3 x 4.9 |
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