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TI(德州仪器) CSD87334Q3D
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CSD87334Q3D

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采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

CSD87334Q3D NexFET™电源块是面向同步降压和升压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与外部控制器或驱动器配合使用时, 可在高占空比应用中 提供灵活的解决方案

  • 半桥电源块
  • 针对高占空比进行了优化
  • 输入电压高达 24V
  • 12A 电流时系统效率达 96.1%
  • 12A 电流时,PLoss 为 1.6W
  • 工作电流高达 20A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
VGS (V)10
VDS (V)30
Power loss (W)1.6
Ploss current (A)12
ID - continuous drain current at TA=25°C (A)20
Operating temperature range (°C)-55 to 150
FeaturesMotor control, Power supply
Duty cycle (%)High
RatingCatalog
VSON-CLIP (DPB)810.89 mm² 3.3 x 3.3
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