该 80mΩ、-20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
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| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 109 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 180 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 825 |
| Id peak (max) (A) | -22 |
| Id max cont (A) | -2.5 |
| QG (typ) (nC) | 1.09 |
| QGD (typ) (nC) | 0.15 |
| QGS (typ) (nC) | 0.35 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.95 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 2.5 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| PICOSTAR (YJJ) | 3 | 0.6 mm² 1 x 0.6 |
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