这款 –8V、8.2mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和超薄特性结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
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| VDS (V) | -8 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 9.9 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 14 |
| Id peak (max) (A) | -80 |
| Id max cont (A) | -5 |
| QG (typ) (nC) | 18.9 |
| QGD (typ) (nC) | 4.2 |
| QGS (typ) (nC) | 3.2 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.7 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 5 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| DSBGA (YZF) | 9 | 3.0625 mm² 1.75 x 1.75 |
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