这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
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| VDS (V) | 12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 17.1 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 29 |
| QG (typ) (nC) | 6 |
| QGD (typ) (nC) | 2.1 |
| QGS (typ) (nC) | 0.7 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 1.6 |
| ID - package limited (A) | 1.6 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| DSBGA (YZB) | 4 | 1.5625 mm² 1.25 x 1.25 |
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