这款 100V，13.7mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
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| VDS (V) | 100 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 16.5 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 138 |
| QG (typ) (nC) | 16.4 |
| QGD (typ) (nC) | 3.3 |
| QGS (typ) (nC) | 5.1 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 2.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 54 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | No |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 175 |
| Rating | Catalog |
| TO-220 (KCS) | 3 | 46.228 mm² 10.16 x 4.55 |
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