此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件具有小尺寸和共漏极配置，非常适用于多节电池组 应用 和小型手持设备。
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Dual Common Drain |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 5.5 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 3.9 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 72 |
| QG (typ) (nC) | 15 |
| QGD (typ) (nC) | 6 |
| QGS (typ) (nC) | 5 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 14 |
| ID - package limited (A) | 14 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| PICOSTAR (YJG) | 10 | 4.9539 mm² 3.37 x 1.47 |
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