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TI(德州仪器) CSD85301Q2
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CSD85301Q2

CSD85301Q2

正在供货

采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 通道器件,它具有两个独立的 MOSFET,并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。 这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用于同步降压等电源应用。 此外,该部件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。 两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大程度降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型应用。

  • 低导通电阻
  • 两个独立的 MOSFET
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动器而优化
  • 雪崩级
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 用于网络互联,电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
  • 电池保护

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VDS (V)20
ConfigurationDual
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)27
IDM - pulsed drain current (max) (A)26
QG (typ) (nC)4.2
QGD (typ) (nC)1
QGS (typ) (nC)1.1
VGS (V)10
VGSTH typ (typ) (V)0.9
ID - silicon limited at TC=25°C (A)5
ID - package limited (A)5
Logic levelYes
Operating temperature range (°C)-55 to 150
RatingCatalog
WSON (DQK)64 mm² 2 x 2
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