CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 通道器件,它具有两个独立的 MOSFET,并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。 这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用于同步降压等电源应用。 此外,该部件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。 两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大程度降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型应用。
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| VDS (V) | 20 |
| Configuration | Dual |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 27 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 26 |
| QG (typ) (nC) | 4.2 |
| QGD (typ) (nC) | 1 |
| QGS (typ) (nC) | 1.1 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 0.9 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 5 |
| ID - package limited (A) | 5 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| WSON (DQK) | 6 | 4 mm² 2 x 2 |