该 37mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
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| VDS (V) | 12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 44 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 27 |
| QG (typ) (nC) | 2 |
| QGD (typ) (nC) | 0.6 |
| QGS (typ) (nC) | 0.4 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 2.9 |
| ID - package limited (A) | 2.9 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| PICOSTAR (YJC) | 3 | 0.657225 mm² 1.035 x 0.635 |
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