这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计，能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。
| VDS (V) | -8 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 19.4 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 26.5 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 53 |
| Id peak (max) (A) | -54 |
| Id max cont (A) | -3 |
| QG (typ) (nC) | 4.9 |
| QGD (typ) (nC) | 0.6 |
| QGS (typ) (nC) | 1.3 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 3 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| DSBGA (YZC) | 6 | 2.1875 mm² 1.75 x 1.25 |
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