这款 12V、9.9mΩ、2.2mm x 1.15mm LGA 双路 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在以小巧封装更大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件尺寸小巧并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备的电池包应用。
| VDS (V) | 12 |
| Configuration | Dual Common Drain |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 5.9 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 52 |
| QG (typ) (nC) | 8.4 |
| QGD (typ) (nC) | 1.9 |
| QGS (typ) (nC) | 2.2 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 0.95 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 8 |
| ID - package limited (A) | 8 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| PICOSTAR (YJE) | 6 | 2.3976 mm² 2.16 x 1.11 |
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