这款 12V，44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形
封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
| VDS (V) | -12 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 53 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 66 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 92 |
| Id peak (max) (A) | -25 |
| Id max cont (A) | -2.2 |
| QG (typ) (nC) | 2.9 |
| QGD (typ) (nC) | 0.28 |
| QGS (typ) (nC) | 0.55 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.6 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 2.2 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| DSBGA (YZB) | 4 | 1.5625 mm² 1.25 x 1.25 |
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