这款 30V，4.0mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。
顶部图标 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 6.4 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 4.8 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 239 |
| QG (typ) (nC) | 13 |
| QGD (typ) (nC) | 2.8 |
| QGS (typ) (nC) | 5.1 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.4 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 83 |
| ID - package limited (A) | 35 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSONP (DNH) | 8 | 10.89 mm² 3.3 x 3.3 |
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