此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的 理想选择。
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 108 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 150 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 285 |
| Id peak (max) (A) | -22 |
| Id max cont (A) | -1.6 |
| QG (typ) (nC) | 1.9 |
| QGD (typ) (nC) | 0.23 |
| QGS (typ) (nC) | 0.48 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 1.6 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| DSBGA (YZC) | 6 | 2.1875 mm² 1.75 x 1.25 |
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