这款 27mΩ,20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 器件在 105ºC 温度下运行RθJA 典型值 = 165°C/W,脉宽 ≤100μs,占空比 ≤1%| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -8 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 32.5 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 45.5 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 92 |
| Id peak (max) (A) | -41 |
| Id max cont (A) | -3 |
| QG (typ) (nC) | 3.3 |
| QGD (typ) (nC) | 0.5 |
| QGS (typ) (nC) | 0.7 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 3 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| DSBGA (YZC) | 6 | 2.1875 mm² 1.75 x 1.25 |