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TI(德州仪器) CSD25304W1015
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CSD25304W1015

CSD25304W1015

正在供货

采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

这款 27mΩ,20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 器件在 105ºC 温度下运行RθJA 典型值 = 165°C/W,脉宽 ≤100μs,占空比 ≤1%

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 小封装尺寸
  • 低高度(高度为 0.62mm)
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装

应用范围

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

VDS (V)-20
VGS (V)-8
ConfigurationSingle
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)32.5
Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ)45.5
Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ)92
Id peak (max) (A)-41
Id max cont (A)-3
QG (typ) (nC)3.3
QGD (typ) (nC)0.5
QGS (typ) (nC)0.7
VGSTH typ (typ) (V)-0.8
ID - silicon limited at TC=25°C (A)3
Logic levelYes
Operating temperature range (°C)-55 to 150
RatingCatalog
DSBGA (YZC)62.1875 mm² 1.75 x 1.25
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