此 1.8mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗 并且采用了 5mm × 6mm SON 封装。
中的封装尺寸拼写错误
| VDS (V) | 60 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 3.3 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 2.2 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 400 |
| QG (typ) (nC) | 41 |
| QGD (typ) (nC) | 6.7 |
| QGS (typ) (nC) | 8.8 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.9 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 221 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 175 |
| Rating | Catalog |
| VSON-CLIP (DNK) | 8 | 30 mm² 6 x 5 |
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