这款 21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
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| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 26 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 32 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 52 |
| Id peak (max) (A) | -38 |
| Id max cont (A) | -4 |
| QG (typ) (nC) | 5.8 |
| QGD (typ) (nC) | 0.8 |
| QGS (typ) (nC) | 1.1 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.75 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 4 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| DSBGA (YZF) | 9 | 3.0625 mm² 1.75 x 1.75 |
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