这款 1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 45°C/W，这是在一块厚度为 0.060 英寸的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 平方英寸 2 盎司铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 3.2 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 2.3 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 240 |
| QG (typ) (nC) | 23 |
| QGD (typ) (nC) | 5.4 |
| QGS (typ) (nC) | 8.5 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.4 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 182 |
| ID - package limited (A) | 60 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSON-CLIP (DQG) | 8 | 10.89 mm² 3.3 x 3.3 |
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