这款 100V，12.6mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 2.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%| VDS (V) | 100 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 15.1 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 137 |
| QG (typ) (nC) | 17 |
| QGD (typ) (nC) | 3.2 |
| QGS (typ) (nC) | 5.1 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 2.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 44 |
| ID - package limited (A) | 40 |
| Logic level | No |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSONP (DQJ) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
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