这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。
顶视图 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%| VDS (V) | 60 |
| Configuration | Dual |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 28 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 46 |
| QG (typ) (nC) | 14 |
| QGD (typ) (nC) | 2.3 |
| QGS (typ) (nC) | 4.6 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 3 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 11.7 |
| ID - package limited (A) | 15 |
| Logic level | No |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| SOIC (D) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
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