此器件设计用于在 超低高度并具有出色散热特性的 尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通 电阻和栅极电荷。
在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=105°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%| VDS (V) | 12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 34 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 20.2 |
| QG (typ) (nC) | 2.3 |
| QGD (typ) (nC) | 0.3 |
| QGS (typ) (nC) | 0.5 |
| VGS (V) | 8 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 0.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 1.6 |
| ID - package limited (A) | 1.6 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| DSBGA (YZB) | 4 | 1.5625 mm² 1.25 x 1.25 |
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