这款 100V，7.8mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值| VDS (V) | 100 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 9.5 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 231 |
| QG (typ) (nC) | 27 |
| QGD (typ) (nC) | 4.9 |
| QGS (typ) (nC) | 7.9 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 2.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 75 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | No |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSONP (DQJ) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
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