这款 -20V，7.7mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少 SON 3 × 3 封装内的功率转换负载管理应用中的损耗，此封装类型针对器件的尺寸提供出色的热性能。
顶视图 RθJA = 55°C/W，这是在厚度为 0.060" 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 铜过渡垫片（2 盎司）上测得的典型值。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 8.9 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 15.9 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 300 |
| Id peak (max) (A) | -82 |
| Id max cont (A) | -15 |
| QG (typ) (nC) | 7.5 |
| QGD (typ) (nC) | 1.1 |
| QGS (typ) (nC) | 2.4 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.9 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | -72 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSONP (DNH) | 8 | 10.89 mm² 3.3 x 3.3 |
关注公众号，优惠活动早知道！
Copyright ©2023 wlxmall.com万联芯城版权所有 | 电信与信息服务业务经营许可证100798号 | 粤ICP备14012234号 | 投诉建议
客服电话：4000-306-326 文明办网文明上网举报电话：010-82615762 违法不良信息举报中心
| * 我的问题/建议： | |
| * 联系电话： | |
| 上传图片（选填）： |
请您提交2M以内的jpg,gif,png格式文件 |
| 投诉订单号（选填）： | |
购物车中还没有商品，赶紧选购吧！
正在供货
加入购物车
