这款 80V，7.6mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100µs，占空比 ≤ 1%| VDS (V) | 80 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 9.2 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 247 |
| QG (typ) (nC) | 28 |
| QGD (typ) (nC) | 5.4 |
| QGS (typ) (nC) | 9.8 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 2.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 94 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | No |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 175 |
| Rating | Catalog |
| TO-220 (KCS) | 3 | 46.228 mm² 10.16 x 4.55 |
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