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TI(德州仪器) CSD19502Q5B
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CSD19502Q5B

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

这款 3.4mΩ,80V,SON 5mm x 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装
VDS (V)80
ConfigurationSingle
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)4.1
IDM - pulsed drain current (max) (A)400
QG (typ) (nC)48
QGD (typ) (nC)8.6
QGS (typ) (nC)14
VGS (V)20
VGSTH typ (typ) (V)2.7
ID - silicon limited at TC=25°C (A)157
ID - package limited (A)100
Logic levelNo
Operating temperature range (°C)-55 to 150
RatingCatalog
VSON-CLIP (DNK)830 mm² 6 x 5
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