h1_key

TI(德州仪器) CSD85312Q3E
德州仪器 (TI) 全系列产品在线购买
  • TI(德州仪器) CSD85312Q3E
  • TI(德州仪器) CSD85312Q3E
  • TI(德州仪器) CSD85312Q3E
  • TI(德州仪器) CSD85312Q3E
  • TI(德州仪器) CSD85312Q3E
  • TI(德州仪器) CSD85312Q3E
立即查看
您当前的位置: 首页 > 电源管理 > MOSFET > N 沟道 MOSFET > CSD85312Q3E
CSD85312Q3E

CSD85312Q3E

正在供货

采用 3mm x 3mm SON 封装的双通道共源极、14mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

CSD85312Q3E 是一款设计用于适配器或 USB 输入保护的 20V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻,这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。

  • 共源连接
  • 超低漏极到漏极导通电阻
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子电镀
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护

VDS (V)20
ConfigurationDual Common Source
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)14
IDM - pulsed drain current (max) (A)76
QG (typ) (nC)11.7
QGD (typ) (nC)1.6
QGS (typ) (nC)3.5
VGS (V)10
VGSTH typ (typ) (V)1.1
ID - silicon limited at TC=25°C (A)39
ID - package limited (A)39
Logic levelYes
Operating temperature range (°C)-55 to 150
RatingCatalog
VSON (DPA)810.89 mm² 3.3 x 3.3
产品购买
  • 商品型号
  • 封装
  • 工作温度
  • 包装
  • 价格
  • 现货库存
  • 操作
10s
温馨提示:
订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
返回顶部