这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗，同时提供出色的封装散热性能。
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| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 29 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 24 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 39 |
| QG (typ) (nC) | 2.4 |
| QGD (typ) (nC) | 0.6 |
| QGS (typ) (nC) | 0.9 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.6 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 7.6 |
| ID - package limited (A) | 22 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| WSON (DQK) | 6 | 4 mm² 2 x 2 |
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