此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。
| VDS (V) | 12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 9.3 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 76 |
| QG (typ) (nC) | 5.1 |
| QGD (typ) (nC) | 0.76 |
| QGS (typ) (nC) | 0.98 |
| VGS (V) | 8 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 0.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 14.4 |
| ID - package limited (A) | 22 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| WSON (DQK) | 6 | 4 mm² 2 x 2 |
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