该 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 260 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 230 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 5 |
| QG (typ) (nC) | 1.01 |
| QGD (typ) (nC) | 0.13 |
| QGS (typ) (nC) | 0.22 |
| VGS (V) | 12 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 0.85 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 1.5 |
| ID - package limited (A) | 1.5 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| PICOSTAR (YJC) | 3 | 0.657225 mm² 1.035 x 0.635 |
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