此 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。
顶视图 RθJA = 50，这是在 1 平方英寸纯铜（2 盎司），厚度为 .060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上测得的值。脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%| VDS (V) | 20 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 19.2 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 15 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 52 |
| QG (typ) (nC) | 2.5 |
| QGD (typ) (nC) | 0.66 |
| QGS (typ) (nC) | 0.93 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.45 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 10 |
| ID - package limited (A) | 22 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| WSON (DQK) | 6 | 4 mm² 2 x 2 |
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