此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的接通电阻和栅极电荷。
顶视图 在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA = 75.7°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 1ms，占空比 ≤ 2% 。| VDS (V) | 12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 20 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 31 |
| QG (typ) (nC) | 3.9 |
| QGD (typ) (nC) | 0.4 |
| QGS (typ) (nC) | 1 |
| VGS (V) | 8 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 0.85 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 3.5 |
| ID - package limited (A) | 3.5 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| DSBGA (YZC) | 6 | 2.1875 mm² 1.75 x 1.25 |
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