CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。 此器件也已经被授予美国专利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 27 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 39 |
| Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) | 81 |
| Id peak (max) (A) | -24 |
| Id max cont (A) | -3.9 |
| QG (typ) (nC) | 2.9 |
| QGD (typ) (nC) | 0.4 |
| QGS (typ) (nC) | 0.7 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 3.9 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| DSBGA (YZF) | 9 | 3.0625 mm² 1.75 x 1.75 |
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