此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 47 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 67 |
| Id peak (max) (A) | -16 |
| Id max cont (A) | -1.6 |
| QG (typ) (nC) | 2.2 |
| QGD (typ) (nC) | 0.14 |
| QGS (typ) (nC) | 0.74 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.85 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 1.6 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| DSBGA (YZB) | 4 | 1.5625 mm² 1.25 x 1.25 |
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