这款 11 mΩ、60V TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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| VDS (V) | 60 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 14 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 147 |
| QG (typ) (nC) | 14 |
| QGD (typ) (nC) | 2.3 |
| QGS (typ) (nC) | 5.2 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 3 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 56 |
| ID - package limited (A) | 50 |
| Logic level | No |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 175 |
| Rating | Catalog |
| TO-220 (KCS) | 3 | 46.228 mm² 10.16 x 4.55 |
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