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TI(德州仪器) LM5050-1-Q1
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LM5050-1-Q1

LM5050-1-Q1

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汽车类 5V 至 75V、400uA IQ ORing FET 控制器

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作,当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器,从而降低功率损耗和压降。

LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动,以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源,可承受高达 100V 的瞬态电压。

  • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1(高达 150°C TJ)和 LM5050Q1MK-1(高达 125°C TJ
  • 提供功能安全
    • 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
  • 宽工作输入电压范围 VIN:1V 至 75V(VIN < 5V 时需要 VBIAS
  • 100V 瞬态电压
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 针对电流反向 50ns 快速响应
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 超小 VDS 关断电压,可缩短关断时间
  • 封装:SOT-6(薄型 SOT-23-6)
Vin (min) (V)5
Vin (max) (V)75
Number of channels1
FeaturesAUX input, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection
Iq (typ) (mA)0.4
Iq (max) (mA)0.79
TI functional safety categoryFunctional Safety-Capable
FETExternal single FET
IGate source (typ) (µA)31
IGate source (max) (µA)41
IGate sink (typ) (mA)2.8
IGate pulsed (typ) (A)2.8
Operating temperature range (°C)-40 to 150
VSense reverse (typ) (mV)-41, -28
Design supportEVM, Simulation Model
RatingAutomotive
Imax (A)250
VGS (max) (V)14
Shutdown current (ISD) (mA) (A)0.1
Device typeORing controller
Product typeORing controller
SOT-23-THN (DDC)68.12 mm² 2.9 x 2.8
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