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TI(德州仪器) CSD87588N
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正在供货

采用 5mm x 2.5mm LGA 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

此 CSD87588N NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计,能够在 5 mm × 2.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,这款产品可提供高效且灵活的解决方案,在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器成对使用时,均可提一个供高密度电源。

  • 半桥电源块
  • 电流 20A 时,系统效率达到 90%
  • 高达 25A 的工作电流
  • 高密度 - 5mm × 2.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装
  • 双侧冷却能力
  • 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 低电感封装
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 无铅

应用范围

  • 同步降压转换器
    • 高电流、低占空比应用
  • 多相位同步降压转换器
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

VGS (V)20
VDS (V)30
Power loss (W)2.1
Ploss current (A)15
ID - continuous drain current at TA=25°C (A)25
Operating temperature range (°C)-55 to 150
FeaturesPower supply
Duty cycle (%)Low
RatingCatalog
PTAB (MPA)512.5 mm² 5 x 2.5
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