TLC6C5912-Q1 是一款单片、中等电压、低电流电源 12 位移位寄存器,设计用于需要相对适量负载功率的系统(如 LED)中。
此器件包含一个 12 位串入、并出移位寄存器,此寄存器为一个 12 位 D 类存储寄存器提供数据。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升边沿上发生。当移位寄存器清零 (CLR) 为高电平时,存储寄存器将数据传输到输出缓冲器 。一个CLR上的低电平将器件中的所有寄存器清零。将输出使能 (G) 保持为高电平将把输出缓冲器中的所有数据保存为低电平,并且所有漏极输出关闭。保持G为低电平将使得来自存储寄存器中的数据对于输出缓冲器不可见。
当输出缓冲器中的数据为低电平时,DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据为高电平时,DMOS 晶体管输出具有电流吸收功能。串行输出 (SER OUT) 在 SRCK 的下降沿随时钟移出器件,为级联应用提供更多保持 时间。这对于时钟信号可能出现偏移的应用、 放置位置相互不靠近的器件、 或者电磁干扰较大的系统而言可以提升性能。此器件内置有热关断保护。
输出端为低侧开漏 DMOS 晶体管,输出额定电压为 40V,VCC = 5V 时拥有 50mA 的连续灌电流能力。电流限值随着结温上升而降低,从而提供额外的器件保护。该器件还提供高达 2000V 的 ESD 人体模型保护和 200V 的 ESD 机器模型保护。
TLC6C5912-Q1 的额定运行环境温度范围为 -40°C 至 125°C。
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| Number of channels | 12 |
| Topology | Open drain |
| Rating | Automotive |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Vin (min) (V) | 3 |
| Vin (max) (V) | 5.5 |
| Vout (min) (V) | 0 |
| Vout (max) (V) | 40 |
| Iout (max) (A) | 0.6 |
| Features | Thermal shutdown |
| SOIC (DW) | 20 | 131.84 mm² 12.8 x 10.3 |
| TSSOP (PW) | 20 | 41.6 mm² 6.5 x 6.4 |