CSD96371Q5M NexFET 功率级的设计针对高功率高密度同步降压转换器中的使用进行了优化。 这个产品集成了栅极驱动器集成电路 (IC) 和功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善功率级开关功能。 这个组合在小型 5mm x 6mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。 此外，已经对 PCB 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计。
| VDS (V) | 25 |
| Power loss (W) | 2.4 |
| Ploss current (A) | 25 |
| Configuration | PowerStage |
| ID - continuous drain current at TA=25°C (A) | 50 |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Features | Ultra-low inductance package |
| Rating | Catalog |
| LSON-CLIP (DQP) | 22 | 30 mm² 6 x 5 |
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