这款 30V，0.95mΩ，5mm × 6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2)，2 盎司（厚度为 0.071 mm）的铜过渡垫片上测得的典型值| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 1.5 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 1.15 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 400 |
| QG (typ) (nC) | 39 |
| QGD (typ) (nC) | 9.3 |
| QGS (typ) (nC) | 14.4 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.4 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 257 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSON-CLIP (DQH) | 8 | 30 mm² 6 x 5 |
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