这款 40V，5.5mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 1.3ºC/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%All trademarks are the property of their respective owners.
| VDS (V) | 40 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 10 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 7 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 238 |
| QG (typ) (nC) | 19 |
| QGD (typ) (nC) | 3.5 |
| QGS (typ) (nC) | 4.4 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.9 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 89 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 175 |
| Rating | Catalog |
| TO-220 (KCS) | 3 | 46.228 mm² 10.16 x 4.55 |
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