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TI(德州仪器) TLV1171
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TLV1171

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1A 低压降稳压器 (tab GND)

产品详情
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  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

TLV1171 低压降 (LDO) 线性稳压器是普及型 1117 稳压器的低输入电压版本。

TLV1171 是一款极低功耗器件,其消耗的静态电流为传统 1117 稳压器的五百分之一,这使得 TLV1171非常适合于需要极低待机电流的应用。 TLV1171 LDO 还可在 0 mA 负载电流下保持稳定;没有最低负载要求,这使得此器件非常适合于需要在待机时为极小负载供电、同时又可在正常工作期间提供大约 1A 大电流的应用。 TLV1171 可提供出色的线路与负载瞬态性能,从而可在负载电流要求从不足 1 mA 变为超过 500 mA 时实现极低的下冲与过冲输出电压。

高精度带隙与误差放大器支持 1.5% 的精度。 极高的电源抑制比使该器件能够在开关稳压器之后用于后稳压。 其它重要特性还包括低输出噪声与低压降电压等。

该器件可通过内部补偿,在使用 0 Ω ESR 电容器时保持稳定。 这些重要优势可实现对低成本小型陶瓷电容器的使用。 此外,在必要时还可使用具有较高偏置电压和温度降额的低成本电容器。

TPS1171 采用 SOT223 封装方式。 对于此器件的替代插脚引线,请参考TLV1171LV。

  • 精度:1.5%(典型值)
  • 低 IQ:100μA(最大值)
    • 比标准 1117 器件低 500 倍
  • VIN:2.0V 至 5.5V
    • VIN:绝对最大值为 6.0V
  • 输出电流 0mA 时保持稳定
  • 低压降:VOUT = 3.3V,1A 时为 455mV
  • 高电源抑制比 (PSRR):频率 1kHz 时为 65dB
  • 最低保证限流:1.1A
  • 与低成本陶瓷电容器一起工作时保持稳定性:
    • 具有 0Ω 等效串联电阻 (ESR)
  • 温度范围:-40°C 至 +125°C
  • 具有热关断及过流保护功能
  • 提供的封装类型:小外形尺寸晶体管 (SOT)223 封装
    • 可提供的电压选项的完整列表请参阅此文档末尾的。
Output optionsFixed Output
Iout (max) (A)1
Vin (max) (V)5.5
Vin (min) (V)2
Vout (max) (V)2.5
Vout (min) (V)1.2
Fixed output options (V)1.2, 1.5, 1.8, 2.5
Noise (µVrms)60
Iq (typ) (mA)0.05
Thermal resistance θJA (°C/W)63
RatingCatalog
Load capacitance (min) (µF)1
Regulated outputs (#)1
Accuracy (%)1.3
PSRR at 100 KHz (dB)50
Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV)455
Operating temperature range (°C)-40 to 125
SOT-223 (DCY)445.5 mm² 6.5 x 7
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