此 30V、5.5mΩ、3.3mm × 3.3mm SON NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 8.1 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 6 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 84 |
| QG (typ) (nC) | 9 |
| QGD (typ) (nC) | 2.3 |
| QGS (typ) (nC) | 3.6 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.5 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 74 |
| ID - package limited (A) | 60 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSONP (DNH) | 8 | 10.89 mm² 3.3 x 3.3 |
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