这款 30V、7.8mΩ、3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 11.8 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 9 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 71 |
| QG (typ) (nC) | 6 |
| QGD (typ) (nC) | 1.5 |
| QGS (typ) (nC) | 2.3 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.6 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 48 |
| ID - package limited (A) | 48 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSONP (DNH) | 8 | 10.89 mm² 3.3 x 3.3 |
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