这款 2.4mΩ,40V,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6ºC/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比| VDS (V) | 40 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 4.3 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 2.9 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 400 |
| QG (typ) (nC) | 52 |
| QGD (typ) (nC) | 8.4 |
| QGS (typ) (nC) | 10.3 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 212 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 175 |
| Rating | Catalog |
| TO-220 (KCS) | 3 | 46.228 mm² 10.16 x 4.55 |