NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。
RθJA=41.9°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2)，| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 11 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 8.8 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 85 |
| QG (typ) (nC) | 6 |
| QGD (typ) (nC) | 1.4 |
| QGS (typ) (nC) | 2.8 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.7 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 48 |
| ID - package limited (A) | 48 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSONP (DQJ) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
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