此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。
在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA = 40°C/W （典型值）。脉宽 ≤300μs，占空比 ≤2%| VDS (V) | 25 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 5.5 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 131 |
| QG (typ) (nC) | 6.5 |
| QGD (typ) (nC) | 1.2 |
| QGS (typ) (nC) | 2.1 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 0.85 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 21 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSONP (DQJ) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
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