此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 33 |
| Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) | 44 |
| Id peak (max) (A) | -9.5 |
| Id max cont (A) | -3.2 |
| QG (typ) (nC) | 3.4 |
| QGD (typ) (nC) | 0.2 |
| QGS (typ) (nC) | 1.1 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -0.8 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 3.2 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| DSBGA (YZC) | 6 | 2.1875 mm² 1.75 x 1.25 |
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