h1_key

TI(德州仪器) CSD87330Q3D
德州仪器 (TI) 全系列产品在线购买
  • TI(德州仪器) CSD87330Q3D
  • TI(德州仪器) CSD87330Q3D
  • TI(德州仪器) CSD87330Q3D
  • TI(德州仪器) CSD87330Q3D
  • TI(德州仪器) CSD87330Q3D
  • TI(德州仪器) CSD87330Q3D
立即查看
您当前的位置: 首页 > 电源管理 > MOSFET > 电源块 > CSD87330Q3D
CSD87330Q3D

CSD87330Q3D

正在供货

采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

CSD87330Q3D NexFET 电源块是面向同步降压应用的优化设计,能够以 3.3 毫米 × 3.3 毫米的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。当与来自外部控制器/驱动的任一 5 V栅极驱动器成对使用时,此产品提供一个灵活的解决方案以提供高密度电源,因此此产品为 5 V栅极驱动应用提供最优解决方案。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,可提供高度灵活的解决方案,在与外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动配合使用时,均可提供高密度电源。

  • 半桥式电源块
  • 高达 27 V VIN
  • 在 15 A 电流下可实现 91% 的系统效率
  • 高达 20 A 的工作电流
  • 高频率工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度 — SON 3.3-mm × 3.3-mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅终端电镀
VGS (V)10
VDS (V)30
Power loss (W)2
Ploss current (A)15
ID - continuous drain current at TA=25°C (A)20
Operating temperature range (°C)-55 to 150
FeaturesPower supply
Duty cycle (%)Low
RatingCatalog
VSON-CLIP (DPB)810.89 mm² 3.3 x 3.3
产品购买
  • 商品型号
  • 封装
  • 工作温度
  • 包装
  • 价格
  • 现货库存
  • 操作
10s
温馨提示:
订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
返回顶部