h1_key

TI(德州仪器) TPS53317
德州仪器 (TI) 全系列产品在线购买
  • TI(德州仪器) TPS53317
  • TI(德州仪器) TPS53317
  • TI(德州仪器) TPS53317
  • TI(德州仪器) TPS53317
  • TI(德州仪器) TPS53317
  • TI(德州仪器) TPS53317
立即查看
您当前的位置: 首页 > 电源管理 > 多通道 IC (PMIC) > TPS53317
TPS53317

TPS53317

正在供货

适用于 DDR 内存终端的低输入电压、6A 同步降压 SWIFT™ 转换器

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

TPS53317 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。

该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.6V 至 2.0V 范围内可调。

TPS53317 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。

  • 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术
  • 支持 DDR 内存终止,具有高达 6A 的持续输出源电流或者吸收电流
  • 外部跟踪
  • 最少的外部组件数
  • 1V 至 6V 转换电压
  • D-CAP+ 模式架构
  • 支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP
  • 可选跳跃 (SKIP) 模式或者强制 CCM
  • 轻量级负载与重负载下的优化效率
  • 可选 600kHz 或者1MHz 开关频率
  • 可选过流限制 (OCL)
  • 过压、过热和断续欠压保护
  • 可调输出电压范围为 0.6V 至 2V
  • 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装

应用

  • 用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器
  • VTT 终止
  • 用于 1V 至 6V 输入电源轨的低电压应用

All trademarks are the property of their respective owners.

Vin (min) (V)1
Vin (max) (V)6
FeaturesComplete Solution
Iq (typ) (mA)0.32
RatingCatalog
Operating temperature range (°C)-40 to 85
VQFN (RGB)2014 mm² 4 x 3.5
产品购买
  • 商品型号
  • 封装
  • 工作温度
  • 包装
  • 价格
  • 现货库存
  • 操作
10s
温馨提示:
订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
返回顶部