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UCD7232 高电流驱动器专为数字控制、负载点、同步降压型开关电源而特别设计。 两个驱动器电路可在同步降压电路中为高侧 NMOS 开关和低侧 NMOS 同步整流器提供高充电及放电电流。 MOSFET 栅极由一个内部稳压 V_GG 电源驱动。 禁用内部 V_GG 稳压器可允许用户提供其特有的栅极驱动电压。 这种高灵活性支持 2.2 V 至 15 V 的宽泛功率转换输入电压。内部欠压闭锁 (UVLO) 逻辑可在允许芯片工作之前确保 V_GG 为良好。

驱动器逻辑模块可支持两种操作模式（由 SRE 模式引脚负责选择）中的一个。 在同步模式下，该逻辑模块可使用 PWM 信号来控制高侧与低侧栅极驱动器信号。 死区时间可自动调节以防止发生交叉传导。 同步整流器使能 (SRE) 引脚用于控制在 PWM 信号为低电平时是否接通低侧 FET。 在独立模式中，PWM 和 SRE 引脚可直接控制高侧及低侧栅极。 在该模式中未使用抗交叉传导逻辑电路。

板载比较器负责监视高侧开关两端的电压及一个外部电流感测元件两端的电压，以避免突发的高电流负载损坏功率级。 由单个电阻器设定了高侧比较器的消隐延迟，以避免与开关边缘噪声同时发生的误报告。 在发生高侧故障或过流故障的情况下，高侧 FET 关断且故障标记 (FLT) 被置为有效，以向数字控制器发出提示信号。 故障门限由 HS 感测和 ILIM 引脚独立设定。

输出电流由一个高精度、高增益的开关电容差分放大器进行测量与监视，该放大器负责处理一个外部电流感测元件两端的电压。 经过放大的信号可供 I_MON 引脚上的数字控制器使用。 电流感测放大器具有 0.5V 的输出失调，因而可检测正（供应）和负（吸收）电流。

一个片上温度感测监视器用于监视芯片温度。 如果芯片温度超过大约 165°C，则温度传感器将启动热关断，从而暂停输出开关操作并设定 FLT 标记。 当芯片温度下降约 20℃ 时，温度故障将自动清除。